石墨烯可分為石墨烯粉末和石墨烯薄膜。石墨粉的生產(chǎn)方法主要有機(jī)械剝落、氧化還原和SiC外延生長(zhǎng)。石墨烯薄膜的制備方法是化學(xué)氣相沉積（CVD）。

一、 石墨烯粉的生產(chǎn)方法

1、機(jī)械剝離

機(jī)械剝落是利用物體與石墨烯之間的摩擦和相對(duì)運(yùn)動(dòng)，獲得石墨烯薄層材料的一種方法。該方法操作簡(jiǎn)單，所得石墨烯通常保持完整的晶體結(jié)構(gòu)。

2、重做過(guò)程

氧化還原法是利用硫酸、硝酸等化學(xué)試劑、高鐵酸鉀、過(guò)氧化氫等氧化劑對(duì)天然石墨進(jìn)行氧化，增加石墨層間的空間，在石墨層之間插入氧化物制備氧化石墨。然后用水沖洗反應(yīng)物，低溫干燥洗滌固體，制備氧化石墨。采用物理剝落和高溫膨脹法制備了氧化石墨烯。然后，用化學(xué)方法還原石墨烯氧化物，得到石墨烯。

該方法操作簡(jiǎn)單，收率高，產(chǎn)品質(zhì)量低。氧化還原工藝采用硫酸、硝酸等強(qiáng)酸，使用大量水進(jìn)行清洗，給環(huán)境帶來(lái)了極大的污染。

3、SiC外延

SiC外延法是在超高真空高溫環(huán)境下，將硅原子升華出材料，通過(guò)自組裝來(lái)重構(gòu)剩余的C原子，從而獲得基于SiC襯底的石墨烯。該方法能獲得高質(zhì)量的石墨烯，但該方法要求設(shè)備高。

二、 石墨烯薄膜的生產(chǎn)方法

CVD是以含碳有機(jī)氣為原料，氣相沉積法制備石墨烯薄膜的一種方法。這是一種生產(chǎn)石墨烯薄膜的有效方法。該方法制備的石墨烯具有面積大、質(zhì)量高的特點(diǎn)，但目前成本較高，工藝條件有待進(jìn)一步改善。由于石墨烯薄膜厚度很薄，大面積石墨烯薄膜不能單獨(dú)使用，必須連接到宏觀器件上，如觸摸屏、加熱裝置等。

石墨烯的潛在應(yīng)用是取代硅，并為未來(lái)超級(jí)計(jì)算機(jī)制造超微型晶體管。用石墨烯代替硅，計(jì)算機(jī)處理器的運(yùn)行速度將提高數(shù)百倍。

此外，石墨烯幾乎完全透明，只吸收2.3%的光。另一方面，它的密度如此之大，甚至小氣體原子（氫原子）也無(wú)法穿透。這些特點(diǎn)使得它非常適合作為透明電子產(chǎn)品的原材料，如透明觸摸屏、發(fā)光面板和太陽(yáng)能板。

石墨烯作為一種新型的納米材料，具有薄、高強(qiáng)度、強(qiáng)導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，被譽(yù)為“黑金”和“第一新材料”。